IPD65R660CFD

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-252
数量：: 9707
说明：: MOSFET COOLM 650V CFD PWR TRANS

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IPD65R660CFD PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFDXT SP000745024
上升时间：8 ns
功率耗散：63 W
栅极电荷 Qg：22 nC
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.66 Ohms
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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