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FS50R12W2T4B11BOMA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 模块
数量：
 8847  
说明：
 IGBT MOD 1200V 83A 335W
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FS50R12W2T4B11BOMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 150°C
NTC 热敏电阻：是
输入：标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies)：2.8 nF @ 25 V
电流 - 集电极截止（最大值）：1 mA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，50A
功率 - 最大值：335 W
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：83 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
配置：三相反相器
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：EasyPACK?
系列：托盘
品牌：Infineon Technologies

以上是FS50R12W2T4B11BOMA1的详细信息，包括FS50R12W2T4B11BOMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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