FGHL75T65LQDT

厂家:
  onsemi
封装:
 TO-247-3
数量:
 2097  
说明:
 FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2
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FGHL75T65LQDT PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):152 ns
测试条件:400V,75A,4.7 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:48ns/568ns
栅极电荷:793 nC
输入类型:标准
开关能量:1.88mJ(开),2.38mJ(关)
功率 - 最大值:469 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):1.35V @ 15V,75A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
IGBT 类型:沟槽型场截止
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:onsemi

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