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FDP047AN08A0_F102

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220AB
数量：
 4086  
说明：
 MOSFET SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH
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FDP047AN08A0_F102 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：400
功率耗散：310 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.7 mOhms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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