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FDP050AN06A0_F085

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220AB
数量：: 6417
说明：: MOSFET N-Chan PowerTrench

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FDP050AN06A0_F085 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：28 ns
上升时间：160 ns
功率耗散：245 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：29 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.005 Ohms
漏极连续电流：18 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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