FDP085N10A_F102

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 6881
说明：: MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

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FDP085N10A_F102 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：400
上升时间：22 ns
功率耗散：188 W
栅极电荷 Qg：31 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：72 S
下降时间：8 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.35 mOhms
漏极连续电流：96 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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