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FDP047AN08A0-F102

厂家：: onsemi
封装：: TO-220-3
数量：: 7524
说明：

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FDP047AN08A0-F102 PDF参数资料

中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：310W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Tc）
漏源电压（Vdss）：75 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：管件
品牌：onsemi

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