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中文参数如下:
功率耗散:2.4 W
最小工作温度:- 55 C
封装形式:MicroFET 2 x 2
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):20 mOhms
漏极连续电流:- 9.4 A
汲极/源极击穿电压:-20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor
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