FDMB506P

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: 8-MLP，MicroFET（3x1.9）
数量：: 1467
说明：: MOSFET LOW_VOLTAGE

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FDMB506P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：175 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：8 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：MicroFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Hex Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：30 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：6.8 A
闸/源击穿电压：+/- 6.8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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