FDMB3800N

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: 8-MLP，MicroFET（3x1.9）
数量：: 14955
说明：: MOSFET 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET

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FDMB3800N PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：21 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：5 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：14 S
下降时间：5 ns
包装形式：Reel
封装形式：MicroFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.032 Ohms
漏极连续电流：4.8 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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