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FDB2532_F085

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-263AB
数量：
 5103  
说明：
 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDB2532_F085-TO-263AB图片

FDB2532_F085 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
上升时间：30 ns
功率耗散：310 W
栅极电荷 Qg：82 nC
下降时间：17 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms
漏极连续电流：79 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB2532_F085的详细信息，包括FDB2532_F085厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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