FDB2670

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 3078  
说明:
 MOSFET 200V N-Channel Pwr Trench
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FDB2670 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FDB2670_NL
典型关闭延迟时间:26 ns
工厂包装数量:800
上升时间:5 ns
功率耗散:93 W
最小工作温度:- 65 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :24 S
下降时间:23 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263AB
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.13 Ohms at 10 V
漏极连续电流:19 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDB2670的详细信息,包括FDB2670厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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