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FDB2552_F085

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-263AB
数量：
 7380  
说明：
 MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET
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FDB2552_F085 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：36 ns
上升时间：29 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：39 nC
下降时间：29 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.097 Ohms
漏极连续电流：37 A
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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