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FDB110N15A

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 D2PAK（TO-263）
数量：
 6719  
说明：
 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDB110N15A-D2PAK（TO-263）图片

FDB110N15A PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
上升时间：26 ns
功率耗散：234 W
栅极电荷 Qg：47 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：118 S
下降时间：14 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.25 mOhms
漏极连续电流：92 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB110N15A的详细信息，包括FDB110N15A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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