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FDB14AN06LA0_F085

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-263AB
数量：
 7686  
说明：
 MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench
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FDB14AN06LA0_F085 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12.8 mOhms
漏极连续电流：67 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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