F3L75R12W1H3B27BOMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 模块
数量：: 5496
说明：: IGBT MOD 1200V 45A 275W

一、本商品被浏览0次.

F3L75R12W1H3B27BOMA1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 150°C
NTC 热敏电阻：是
输入：标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies)：4.4 nF @ 25 V
电流 - 集电极截止（最大值）：1 mA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，30A
功率 - 最大值：275 W
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：45 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
配置：三相反相器
IGBT 类型：-
产品状态：在售
包装：-
系列：托盘
品牌：Infineon Technologies

以上是F3L75R12W1H3B27BOMA1的详细信息，包括F3L75R12W1H3B27BOMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：