DMG6601LVT-7

厂家：: Diodes Inc.
封装：: TSOT-26
数量：: 5445
说明：: MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET

一、本商品被浏览0次.

DMG6601LVT-7 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：31.2 ns, 18.3 ns
上升时间：4.6 ns, 7.4 ns
功率耗散：0.85 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：5.4 nC, 6.5 nC
下降时间：15.6 ns, 2.2 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSOT-26
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：55 mOhms, 110 mOhms
漏极连续电流：3.8 A, - 2.5 A
汲极/源极击穿电压：30 V, - 30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMG6601LVT-7的详细信息，包括DMG6601LVT-7厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：