DMG6602SVT-7

厂家：: Diodes Inc.
封装：: TSOT-26
数量：: 6648
说明：: MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
上升时间：5 ns
功率耗散：0.84 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：9 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4 S
下降时间：3 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSOT26-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：60 mOhms, 95 mOhms
漏极连续电流：3.4 A, - 2.8 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：+/- 30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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