DMG6898LSD-13

厂家:
  Diodes Inc.
封装:
 8-SO
数量:
 4617  
说明:
 MOSFET MOSFET N-CHAN
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DMG6898LSD-13 PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:1.28 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:11.6 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :17 S
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):11 mOhms
漏极连续电流:9.5 A
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Diodes Inc.

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