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DI9400T

厂家：
  Diodes Incorporated
封装：
 -
数量：
 4168  
说明：
 MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
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DI9400T--图片

DI9400T PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 350pF @ 10V
功率 - 最大2.5W
安装类型表面贴装

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