DI9942T

厂家:
  Diodes Incorporated
封装:
 -
数量:
 3593  
说明:
 MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC
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DI9942T--图片

DI9942T PDF参数资料

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中文参数如下:
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
漏极至源极电压(Vdss)20V
Id 时的 Vgs(th)(最大)-
闸电荷(Qg) @ Vgs-
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) -
功率 - 最大1.6W
安装类型表面贴装

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