BLV31

厂家:
  Advanced Semiconductor, Inc.
封装:
 SOT-122A
数量:
 1976  
说明:
 射频双极电源晶体管 RF Transistor
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BLV31-SOT-122A图片

BLV31 PDF参数资料

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中文参数如下:

晶体管极性:NPN
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 200 C
包装形式:Tray
封装形式:SOT-122A
功率耗散:7 W
最大直流电集电极电流:6 A
集电极连续电流:3 A
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
最大工作频率:224 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:15
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

以上是BLV31的详细信息,包括BLV31厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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