BLV34

厂家:
  Advanced Semiconductor, Inc.
封装:
 
数量:
 8470  
说明:
 射频双极电源晶体管 RF Transistor
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BLV34-图片

BLV34 PDF参数资料

中文参数如下:

安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 200 C
包装形式:Tray
功率耗散:150 W
集电极连续电流:15 A
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:75 V
最大工作频率:225 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:25
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

以上是BLV34的详细信息,包括BLV34厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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