APTGTQ100DA65T1G

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 2868
说明：: IGBT MODULE 650V 100A 250W SP1

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APTGTQ100DA65T1G PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
NTC 热敏电阻：是
输入：标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies)：6 nF @ 25 V
电流 - 集电极截止（最大值）：100 μA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，100A
功率 - 最大值：250 W
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
配置：升压斩波器
IGBT 类型：-
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：Microchip Technology

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