| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCV 62C E6327 | Infineon Technologies | SOT-143 | 2578 | 两极晶体管 - BJT PNP 30 V 100 mA | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：30 V，集电极—发... | ||||||
|
BCV49 /T3 | NXP Semiconductors | SOT-89-4 | 两极晶体管 - BJT TRANS DARLINGTON TAPE-11 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：80 V，集电极—发射极最... | ||||||
SOT89.jpg)
|
BCV49,135 | NXP Semiconductors | SOT-89 | 34,877 | 两极晶体管 - BJT TRANS DARLINGTON | |
| 参数：Nexperia USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|Automotive, AEC-Q101|在售|NPN - ... | ||||||
|
BD17510STU | Fairchild Semiconductor | TO-126-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil | ||
| 参数：onsemi|管件|-|在售|NPN|3 A|45 V|800mV @ 100mA，1A|100μA（ICBO）|63 @ 150mA，2V|30 W|3MHz... | ||||||
|
|
BD17516STU | Fairchild Semiconductor | TO-126-3 | 6,743 | 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil | |
| 参数：onsemi|管件|-|在售|NPN|3 A|45 V|800mV @ 100mA，1A|100μA（ICBO）|100 @ 150mA，2V|30 W|3MH... | ||||||
|
|
BD433S | Fairchild Semiconductor | TO-126-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil | ||
| 参数：onsemi|散装,散装|-|停产|NPN|4 A|22 V|500mV @ 200mA，2A|100μA|40 @ 10mA，5V|36 W|3MHz|150... | ||||||
|
BD434 | STMicroelectronics | SOT-32-3 | 两极晶体管 - BJT PNP Medium Power | ||
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|停产|PNP|4 A|22 V|500mV @ 200mA，2A|100μA|40 @ 10mA，5V|36 W... | ||||||
|
|
BD434S | Fairchild Semiconductor | TO-126-3 | 1,714 | 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil | |
| 参数：onsemi|散装|-|停产|PNP|4 A|22 V|500mV @ 200mA，2A|100μA|40 @ 10mA，5V|36 W|3MHz|150°C（... | ||||||
|
BD434STU | Fairchild Semiconductor | TO-126 | 1086 | 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电... | ||||||
|
|
BD435 | STMicroelectronics | SOT-32-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Medium Power | ||
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|停产|NPN|4 A|32 V|500mV @ 200mA，2A|100μA|40 @ 10mA，5V|36 W... | ||||||
.JPG)
|
BD435G | ON Semiconductor | TO-126 | 两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 22V | ||
| 参数：onsemi|散装|-|停产|NPN|4 A|32 V|500mV @ 200mA，2A|100μA（ICBO）|85 @ 500mA，1V|36 W|3MHz... | ||||||
|
|
BD435S | Fairchild Semiconductor | TO-126 | 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电... | ||||||
|
BD435STU | Fairchild Semiconductor | TO-126 | 1065 | 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电... | ||||||
|
|
BD436 | STMicroelectronics | SOT-32-3 | 两极晶体管 - BJT PNP Medium Power | ||
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|停产|PNP|4 A|32 V|500mV @ 200mA，2A|100μA|40 @ 10mA，5V|36 W... | ||||||
|
BD436G | ON Semiconductor | TO-225-3 | 两极晶体管 - BJT 4A 32V 36W PNP | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：... | ||||||
|
|
BD436S | Fairchild Semiconductor | TO-126 | 6 | 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电... | ||||||
|
|
BD436STU | Fairchild Semiconductor | TO-126 | 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电... | ||||||
|
|
BD436T | ON Semiconductor | TO-126 | 两极晶体管 - BJT 4A 32V 36W PNP | ||
| 参数：onsemi|管件|-|停产|PNP|4 A|32 V|500mV @ 200mA，2A|100μA（ICBO）|85 @ 500mA，1V|36 W|3MHz... | ||||||
|
BD436TG | ON Semiconductor | TO-225-3 | 759 | 两极晶体管 - BJT 4A 32V 36W PNP | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：... | ||||||
|
|
BD437 | STMicroelectronics | SOT-32-3 | 1,404 | 两极晶体管 - BJT NPN Medium Power | |
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|不适用于新设计|NPN|4 A|45 V|600mV @ 200mA，2A|100μA|30 @ 10mA，5V... | ||||||
101/819 首页 上页 [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] 下页 尾页
