BD435G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TO-126
数量:
 1179  
说明:
 两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 22V
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BD435G PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
频率 - 跃迁:3MHz
功率 - 最大值:36 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):85 @ 500mA,1V
电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A
电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
晶体管类型:NPN
产品状态:停产
包装:-
系列:散装
品牌:onsemi

以上是BD435G的详细信息,包括BD435G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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