BD435STU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-126
数量:
 2262  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil
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BD435STU PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BD435STU_NL
工厂包装数量:60
包装形式:Tube
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:36 W
集电极连续电流:4 A
封装形式:TO-126
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:40
增益带宽产品fT:3 MHz
最大直流电集电极电流:4 A
集电极—射极饱和电压:32 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V
集电极—基极电压 VCBO:32 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是BD435STU的详细信息,包括BD435STU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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