Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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2N6661-E3 | Vishay/Siliconix | TO-39 | MOSFET 90V 0.9A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：90 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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3N163 | Vishay/Siliconix | TO-72 | MOSFET 40V 5mA 375mW | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 70 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
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3N163-E3 | Vishay/Siliconix | TO-72 | MOSFET 40V 5mA 375mW | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极... | ||||||
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3N164 | Vishay/Siliconix | TO-72 | MOSFET 30V 3mA 375mW | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 70 V，闸/源击穿电压：- 3.5 V，漏... | ||||||
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3N164-E3 | Vishay/Siliconix | TO-206AF-4 | MOSFET 30V 3mA 375mW | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极... | ||||||
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IRL510 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510L | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 14,511 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510STRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 800 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510STRRPBF | Vishay/Siliconix | SMD-220 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL520 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL520LPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL520PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 9,040 | MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL520S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL530 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 15 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL530PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 12,824 | MOSFET N-Chan 100V 15 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL530STRR | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 15 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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