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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：200
上升时间：13 ns
功率耗散：375 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Bulk
封装形式：TO-72
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：250 Ohms
漏极连续电流：- 5 mA
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：- 70 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay
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