3N163-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-72
数量:
 4338  
说明:
 MOSFET 40V 5mA 375mW
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3N163-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:25 ns
工厂包装数量:200
上升时间:13 ns
功率耗散:375 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Bulk
封装形式:TO-206AF-4
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
漏极连续电流:0.05 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是3N163-E3的详细信息,包括3N163-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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