Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIB406EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | 2,801 | MOSFET 20V 6.0A 10W 46mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIB408DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 30V 7.0A 13W 40mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIB410DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 30V 9A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03... | ||||||
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SIB411DK-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9.0A 13W 66mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIB411DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9.0A 13W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIB412DK-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9.0A 13W 34mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIB412DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9.0A 13W 34mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIB413DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9.0A 13W 75mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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SIB414DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 8.0V 9.0A 13W 26mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SIB415DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 30V 9.0A 13W 87mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SIB417DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 8.0V 9.0A 13W 52mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极... | ||||||
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SIB417EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极... | ||||||
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SIB419DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 12V 9.0A 13.1W 60mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SIB422EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9.0A 13W 30mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIB431EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC75-6L | MOSFET 20V 9.0A 13W 80mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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SIB433EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9A P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 9 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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SIB437EDKT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? TSC75-6 | MOSFET 8V 9A 13W 34MOHMS @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 8 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIB452DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 190V 1.5A 13W 2.4ohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：190 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏... | ||||||
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SIB455EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET -12V 27mOhm@4.5V 9A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：10 V，漏极连续电流：- 9 A，电阻汲... | ||||||
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SIB456DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | 17,038 | MOSFET 100V 185mOhm@10V 6.3A N-Ch MV T-FET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：3 V，漏极连续电流... | ||||||
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