Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7117DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 150V 2.17A 12.5W 1.2ohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7119DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05ohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7119DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 20,986 | MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05ohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7120DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 60V 10A 0.019Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7120DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 60V 10A 3.8W 19mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7121DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 6,250 | MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，... | ||||||
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SI7123DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 25A 52W 10.6mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7129DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 12,046 | MOSFET 30V 35A 52.1W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SI7135DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 60A 104W 3.9mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SI7136DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 30A 39W 3.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7136DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 30A 39W 3.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7137DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6,655 | MOSFET -20V 1.95mOhm@10V 60A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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SI7138DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 30A 96W 7.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7138DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 30A 96W 7.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7139DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，漏极连续电流：- 40 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）... | ||||||
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SI7141DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 49,013 | MOSFET -20V 1.9mOhm@10V 60A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 60 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）... | ||||||
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SI7143DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 982 | MOSFET 30V 35A P-CH MOSFET | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，漏极连续电流：- 35 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）... | ||||||
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SI7145DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET -30V 2.6mOhm@10V 60A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SI7148DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 75V 28A 0.011Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7148DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 75V 28A 96W 11mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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