SI7119DN-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? 1212-8
数量:
 27907  
说明:
 MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05ohm @ 10V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI7119DN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8图片

SI7119DN-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:SI7119DN-GE3
工厂包装数量:3000
功率耗散:3.7 W
最小工作温度:- 50 C
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK 1212-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.05 Ohms
漏极连续电流:1.2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI7119DN-T1-GE3的详细信息,包括SI7119DN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC