SI7135DP-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SO-8
数量:
 6318  
说明:
 MOSFET 30V 60A 104W 3.9mohm @ 10V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI7135DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8图片

SI7135DP-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:SI7135DP-GE3
典型关闭延迟时间:110 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:100 ns
功率耗散:6.25 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :95 S
下降时间:50 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.005 Ohms
漏极连续电流:- 60 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI7135DP-T1-GE3的详细信息,包括SI7135DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC