Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI5406DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 12V 9.5A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5406DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 12V 9.5A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5406DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 12V 9.5A 2.5W 20mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5410DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 40V 12A 31W 18mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5414DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 6.0A 6.3W 17mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SI5414DC-GE3，... | ||||||
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SI5418DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | 2,775 | MOSFET 30V 12A 31W 14.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5419DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | 25,080 | MOSFET 30V 12A 31W 20mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SI5424DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 30V 6.0A 6.25W 24mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
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SI5424DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | 9,000 | MOSFET 30V 6.0A 6.25W 24mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
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SI5429DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK ChipFET | 2995 | MOSFET -30V 15mOhm@10V 12A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：- 2.2 V，漏... | ||||||
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SI5432DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 6.0A 6.3W 20mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5433BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 6.7A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5433BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 6.7A 2.5W 37mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5433DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 6.7A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5433DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 6.7A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5435BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 30 Volt 5.9 Amp 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5435BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 30V 5.9A 2.5W 45mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5435DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 5.6A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5435DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 5.6A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5440DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 30V 6.0A 6.3W 19mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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