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SI5429DU-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK ChipFET
数量：
 5299  
说明：
 MOSFET -30V 15mOhm@10V 12A P-Ch G-III
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SI5429DU-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5429DU-GE3
典型关闭延迟时间：60 ns
上升时间：50 ns
功率耗散：31 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：20 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：25 S
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：15 mOhms at 10 V
漏极连续电流：- 12 A
闸/源击穿电压：- 2.2 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5429DU-T1-GE3的详细信息，包括SI5429DU-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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