首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI5435BDC-T1-GE3

SI5435BDC-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 1206-8 ChipFET?
数量：
 5382  
说明：
 MOSFET 30V 5.9A 2.5W 45mohm @ 10V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI5435BDC-T1-GE3-1206-8 ChipFET?图片

SI5435BDC-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI5435BDC-GE3
典型关闭延迟时间：32 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：12 ns
功率耗散：1.3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：1206-8 ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：45 mOhms
漏极连续电流：4.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5435BDC-T1-GE3的详细信息，包括SI5435BDC-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • FDPF035N06B-F154
  • TK5Q60W,S1VQ
  • NTMYS3D5N04CTWG
  • IPB65R660CFDATMA1
  • MCP75N10Y-BP
  • TK5R3E08QM,S1X
  • SIR5710DP-T1-RE3
  • SIR4604LDP-T1-GE3
  • SIHU6N80AE-GE3
  • IPU95R2K0P7AKMA1

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC