Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIHP30N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | - | MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：29 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIHP33N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 702 | MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHP5N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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SiHP5N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 500V 5A 1.5Ohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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SIHP6N40D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 400V 1ohm@10V 6A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHP7N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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SIHP7N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHP8N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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SiHP8N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 280 | MOSFET 500V 8A 850mOhm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... | ||||||
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SIHS36N50D-E3 | Vishay/Siliconix | SUPER-247?（TO-274AA） | MOSFET 500V 130mOhm@10V 36A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流：36 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIHU3N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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SiHU3N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET 500V 3A 3.2Ohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... | ||||||
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SIHU5N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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SiHU5N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET 500V 5A 1.5Ohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... | ||||||
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SIHU7N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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SIHU7N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHW30N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-3P-3 整包 | 159 | MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHW33N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AD | MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHW47N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-3P-3 整包 | 265 | MOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHW73N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AD | MOSFET 650V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：73 A，电阻汲极/源... | ||||||
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