SIHP8N50D-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-220-3
数量:
 5238  
说明:
 MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SIHP8N50D-E3-TO-220-3图片

SIHP8N50D-E3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:SIHP8N50D-GE3
功率耗散:156 W
包装形式:Bulk
封装形式:TO-220AB-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):850 mOhms at 10 V
漏极连续电流:8.7 A
闸/源击穿电压:5 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP8N50D-E3的详细信息,包括SIHP8N50D-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC