SIHP8N50D-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-220-3
数量：: 5527
说明：: MOSFET 500V 8A 850mOhm @ 10V

一、本商品被浏览0次.

SIHP8N50D-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SIHP8N50D-E3
上升时间：16 ns
功率耗散：156 W
栅极电荷 Qg：15 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：3 S
下降时间：11 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：850 mOhms
漏极连续电流：8.7 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHP8N50D-GE3的详细信息，包括SIHP8N50D-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：