Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI2315DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 12V 3.5A 1.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2315DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 12V 3.5A 1.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2316BDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 16,283 | MOSFET 30V 4.5A 1.66W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2316BDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 58,427 | MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2316DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 30V 3.4A 0.7W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2316DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 22,026 | MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2316DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2318CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 240 | MOSFET 40V 5.6A N-CH MOSFET | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：5.6 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.... | ||||||
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SI2318DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 17,701 | MOSFET 40V 6A | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2318DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | 15,085 | MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，漏极连续电流：- 4.4 A，电阻汲极/源极 RDS（导通... | ||||||
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SI2319DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 40V 3.0A 0.75W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2319DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2319DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2320DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 200V 0.22A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.22 A... | ||||||
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SI2321DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 3.3A 0.71W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2321DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 3.3A 0.89W 57mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2323CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 20V 6A P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 6 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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SI2323DS-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 4.7A 0.75W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2323DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 3.7A 0.039Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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