SI2319CDS-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOT-23-3(TO-236)
数量:
 6786  
说明:
 MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI2319CDS-T1-GE3-SOT-23-3(TO-236)图片

SI2319CDS-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:SI2319CDS-GE3
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:13.6 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :10 S
包装形式:Reel
封装形式:TO-236
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.064 Ohms
漏极连续电流:- 4.4 A
汲极/源极击穿电压:- 40 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SI2319CDS-T1-GE3的详细信息,包括SI2319CDS-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC