SI2319DS-T1

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-236-3
数量:
 3303  
说明:
 MOSFET 40V 3.0A 0.75W
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SI2319DS-T1 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:25 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:15 ns
功率耗散:750 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:15 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-236-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.082 Ohms
漏极连续电流:2.3 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI2319DS-T1的详细信息,包括SI2319DS-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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