Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI1473DH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 30V 2.7A P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2.8 A，电... | ||||||
|
|
SI1488DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 20V 6.1A 2.8W 49mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI1499DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | 17,769 | MOSFET 8.0V 1.6A 2.78W 78 mohms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
|
SI1501DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20 0.25/0.18 | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电... | ||||||
|
SI1539CDL-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 30 Volts 0.7 Amps 0.34 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击穿电压：2... | ||||||
|
|
SI1539DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 30 0.63/0.45 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
SI1539DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 30 0.63/0.45 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
SI1551DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 0.3/0.44 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
SI1551DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 0.3/0.44 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
SI1551DL-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 0.3/0.44 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 0.7/-0.5 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V, - 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
SI1553DL-T1 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 0.7/0.44 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
SI1553DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 0.7/0.44 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
SI1555DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20/8 0.7/0.6 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+ 20 V, - 8 V，闸/源击... | ||||||
|
|
SI1555DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20/8 0.7/0.6 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+ 20 V, - 8 V，闸/源击... | ||||||
|
|
SI1557DH-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET N/P-Ch 12V 1.0/0.56A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 12 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
SI1557DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET N/P-Ch 12V 1.0/0.56A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 12 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
SI1563DH-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 1.28/1.0A 0.48W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
SI1563DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 1.28/1.0A 16 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
SI1563EDH-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 1.28/1.0 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
101/219 首页 上页 [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] 下页 尾页
