Fairchild Semiconductor
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDB045AN08A0_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET 75V N-CHAN PwrTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：90 A，电阻... | ||||||
|
FDB045AN08A0_Q | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET N-Channel UltraFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
|
FDB047N10 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | 440 | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
|
FDB050AN06A0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 960 | MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
|
FDB060AN08A0 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | 4,028 | MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/... | ||||||
|
|
FDB070AN06A0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
|
FDB070AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：80 A，电阻... | ||||||
|
|
FDB070AN06A0_Q | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
|
FDB075N15A | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
|
|
FDB082N15A | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
|
|
FDB088N08 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 334 | MOSFET NCH 75V 8.8Mohm | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/... | ||||||
|
|
FDB10AN06A0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
|
|
FDB10AN06A0_Q | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
|
|
FDB110N15A | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | 2,876 | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
|
FDB120N10 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
|
FDB12N50FTM_WS | Fairchild Semiconductor | D2PAK | 221 | MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸... | ||||||
|
FDB12N50TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1 | MOSFET 500V N-CH MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸... | ||||||
|
FDB12N50UTM_WS | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET 500V 10A 0.8Ohm N-Channel | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸... | ||||||
|
FDB13AN06A0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,060 | MOSFET N-Channel PowerTrench | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
|
|
FDB13AN06A0_Q | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
78/225 首页 上页 [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] 下页 尾页
