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FDB060AN08A0

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: D2PAK（TO-263）
数量：: 6719
说明：: MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench

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FDB060AN08A0 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FDB060AN08A0_NL
典型关闭延迟时间：37 ns
工厂包装数量：800
上升时间：79 ns
功率耗散：255 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：38 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.8 mOhms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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