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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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PD3R1600-7 |
Diodes Inc. |
PowerDI? 323 |
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MOSFET Standard Rectifier PDI323 T&R 3K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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NA555S-13 |
Diodes Inc. |
8-SO |
15,815 |
MOSFET Timers SO-8 T&R 2.5K Timers SO-8 T&R 2.5K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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NMSD200B01-7 |
Diodes Inc. |
SOT-363 |
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MOSFET ARRAY N-MOSFET AND SCHTKY DIO SOT-363 |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
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MMBT2222ALP4-7B |
Diodes Inc. |
X2-DFN1006-3 |
761,808 |
MOSFET General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10K |
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| 参数：Diodes Incorporated|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|Automotive, AEC-Q101|在售|NPN|... |
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MMBD5004C-7 |
Diodes Inc. |
SOT-23-3 |
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MOSFET HiVolt Switching Dio 100V SOT23 T&R 3K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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MMBD5004A-7 |
Diodes Inc. |
SOT-23-3 |
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MOSFET HiVolt Switching Dio 100V SOT23 T&R 3K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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MMBF170-7 |
Diodes Inc. |
SOT-23-3 |
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MOSFET 60V 225mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50... |
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MMBF170-7-F |
Diodes Inc. |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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MOSFET 60V 225mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
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DRDC3105E6-7 |
Diodes Inc. |
SOT-23-6 |
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MOSFET Transistor Array SOT Array SOT26 T&R 3K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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DRDC3105F-7 |
Diodes Inc. |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
380,694 |
MOSFET Transistor Array SOT Array SOT23 T&R 3K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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DMG9926UDM-7 |
Diodes Inc. |
SOT-26 |
47,047 |
MOSFET MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：4.2 A，电... |
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DMG9926USD-13 |
Diodes Inc. |
8-SO |
131,139 |
MOSFET MOSFET,N-CHANNEL |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... |
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DMG9933USD-13 |
Diodes Inc. |
8-SO |
29,990 |
MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 12V VGSS |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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DMG9N65CT |
Diodes Inc. |
TO-220-3 |
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MOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲极/源极 RDS（导通... |
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DMHC3025LSD-13 |
Diodes Inc. |
8-SO |
77,871 |
MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, - 30 V，漏极连续电流：6 A, ... |
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DMS2120LFWB-7 |
Diodes Inc. |
8-VDFN 裸露焊盘 |
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MOSFET 20V 2.9A P-CHANNEL |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... |
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DMS2220LFDB-7 |
Diodes Inc. |
U-DFN2020-6（B 类） |
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MOSFET 20V 3.5A P-CHNL |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... |
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DMS2220LFW-7 |
Diodes Inc. |
8-DFN3020（3x2） |
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MOSFET 20V 2.9A P-CHNL |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... |
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DMS3012SFG-13 |
Diodes Inc. |
8-PowerVDFN |
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MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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DMS3012SFG-7 |
Diodes Inc. |
PowerDI3333-8 |
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MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
