首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > MMBT2222ALP4-7B

MMBT2222ALP4-7B

厂家：
  Diodes Inc.
封装：
 X2-DFN1006-3
数量：
 763527  
说明：
 MOSFET General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10K
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
MMBT2222ALP4-7B-X2-DFN1006-3图片

MMBT2222ALP4-7B PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：3-XFDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：300MHz
功率 - 最大值：460 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V
电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA
晶体管类型：NPN
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：Diodes Incorporated

以上是MMBT2222ALP4-7B的详细信息，包括MMBT2222ALP4-7B厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • DDTC124ECA-7-F-50
  • DTA144TET1G
  • DTA123TET1G
  • DTA113EET1G
  • MMUN2141LT1G
  • MMUN2140LT1G
  • DTB523YMT2L
  • DTD123ECHZGT116
  • DTC914TUBTL
  • RN1309,LXHF

    • 相近型号推荐

    • MMBT2222AT图片

      MMBT2222AT

      两极晶体管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC