DMHC3025LSD-13

厂家:
  Diodes Inc.
封装:
 8-SO
数量:
 83748  
说明:
 MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
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DMHC3025LSD-13 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:17.5 ns, 28.2 ns
上升时间:15 ns, 4.9 ns
功率耗散:1.5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:5.4 nC, 5.5 nC
下降时间:8.7 ns, 13.5 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):25 mOhms, 50 mOhms
漏极连续电流:6 A, - 4.2 A
汲极/源极击穿电压:30 V, - 30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:Diodes Inc.

以上是DMHC3025LSD-13的详细信息,包括DMHC3025LSD-13厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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