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ZXMN10A08DN8TC

厂家：
  Diodes Incorporated
封装：
 8-SO
数量：
 2106  
说明：
 MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC
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ZXMN10A08DN8TC-8-SO图片

ZXMN10A08DN8TC PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C250 毫欧 @ 3.2A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)100V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs7.7nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.6A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 405pF @ 50V
功率 - 最大1.25W
安装类型表面贴装

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